En büyük mobil çipset üreticisi konumundaki Qualcomm, Tüketici Elektroniği Fuarı 2013 kapsamında düzenlediği basın koferansında Snapdragon serisi yongada sistem çözümleriyle alakalı açıklamalar yaparak ilerleyen dönemlerde mobil sektöre sunmak üzere nasıl yongalar hazırladığını açıkladı. Önceki ürünlerini S1, S2, S3, S4 serileri altında konumlandıran ve bu serileri kullanım amaçlarına göre Play, Plus, Pro, Prime gibi bölümlere ayıran San Diego merkezli firmanın bundan sonraki çipleri Snapdragon 200, 400, 600 ve 800 isimlendirmesiyle piyasaya sürülecek. ARM'ın Cortex-A15 mimarisini örnek alarak kendi tasarladığı Krait işlemcilerde de buna benzer bir sınıflandırmaya gidecek olan fabrikasız yarı iletken devinin bu donanımları da Snapdragon S4 serisinde olduğu gibi 28nm üretim süreciyle TSMC tarafından üretilecek.
Halihazırda piyasadaki en güçlü akıllı telefonlara güç veren Snapdragon S4 Pro'ya eşlik eden Krait 200işlemci, 1.7GHz'e saat hızına kadar ulaşabiliyordu. Snapdragon 600 serisinde kullanılacak Krait 300 ile1.9GHz hıza çıkılabilecek, LPDDR3 belleklere destek sunulacak, çok daha düşük enerji ile %40 daha fazla işlem gücü sunulacak. Hızlandırılmış Adreno 320 GPU'ya sahip bu çipsetler 2013'ün ikinci çeyreğinde piyasaya sürülmeye başlayacak. Krait mimarisinin merkezindeki silikon blokları yeniden düzenlediklerini bildiren Qualcomm mühendisleri, böylelikle ARM Cortex-A15 ile aynı düzeydeperformans sunamayan ilk nesil Krait'lerden çok daha güçlü ve enerji tasarrufu anlamında daha başarılı çözümler ortaya koymuş.
Çok çeşitli cihazlarda kullanılmak üzere geliştirilen Qualcomm'un en üst düzey yarı iletken çiplerini kapsayan Snapdragon 800 serisi, 2.3GHz hız ve %75 daha yüksek işlem performansı vaat eden Krait 400 işlemci ve Ultra HD (3840 x 2160 piksel) video oynatma, 2560x2048 piksel çözünürlüklü desteği, iki kat daha yüksek GPU hesaplama, 1.5 kat daha yüksek grafik performansıyla gelen firmanın en yenigrafik işlemcisi Adreno 330'yle donatılacak. Asenkronize SMP mimarisi sayesinde işlemciler, ihtiyaç duyulduğu iş gücüne göre hızını belirleyip birbirlerinden bağımsız çalışarak pil tasarrufu için özelleştirilmiş bir çekirdeğe gerek duymadan gereksiz enerji tüketimi önlenmiş olacak.
28nm HPm (Mobil cihazlar için yüksek performans) mimarisiyle geliştirilen, 12.8Gb/s bellek bant genişliğine kadar çıkabilen 2x32-bit 800MHz LPDDR3 bellek destekli, Android 4.2 ve üstü sürümlerle kullanıldığında Miracast kablosuz görüntü aktarım teknolojisiyle uyumlu, yeni Hexagon V5 dijital sinyal işlemcisi, çift görüntü sinyal işlemcileri (ISP), Wi-Fi 802.11ac standardına desteğine sahip, 150Mbps kadar çıkabilen üçüncü nesil 4 LTE modem ve enerji tasarrufu odaklı donanım elemanlarını bünyesinde barındıran Snapdragon 800 yongaları halihazırda örneklendirme aşamasında. Çipin 2013'ün ikinci yarısında satışa çıkacak mobil telefon ve tabletlerde kullanılmaya başlayacağı öngörülüyor.
